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几种碳化硅器件
碳化硅增碳剂生产厂家-郑州新华炉料科技有限公司    2019-12-20 17:36:35    文字:【】【】【
碳化硅半导体功率器件主要包括二极管和晶体管两大类。其中二极管主要有结势垒肖特基功率二极管(JBS)、PiN功率二极管和混合PiN肖特基二极管(MPS);晶体管主要有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、双极型晶体管(BJT)、结型场效应晶体管(JFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和门极可关断晶闸管(GTO)等。

     SiC-MOSFET是碳化硅电力电子器件研究中关注度非常高的器件。碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式,在1700℃温度中进行退火激活。另一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制,高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围,同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于IGBT,碳化硅MOSFET在开关电路中不存在电流拖尾的情况,具有更低的开关损耗和更高的工作频率。20kHz的碳化硅MOSFET模块的损耗可以比3kHz的IGBT模块低一半,50A的碳化硅模块就可以替换150A的模块。碳化硅MOSFET在工作频率和效率上拥有巨大优势。

     另一个高关注度的器件是碳化硅结型场效应晶体管(JFET),JFET有着高输入阻抗、低噪声和线性度好等特点,是目前发展较快的碳化硅器件之一,并且率先实现了商业化。与MOSFET器件相比,JFET器件不存在栅氧层缺陷造成的可靠性问题和载流子迁移率过低的限制,同时单极性工作特性使其保持了良好的高频工作能力。另外,JFET器件具有更佳的高温工作稳定性和可靠性。总体来看,碳化硅器件优点显著。具有更高的性能和工作电压,更高的工作频率和更高的工作温度,并且更加容易驱动。

     郑州新华炉料专业生产碳化硅增碳剂孕育剂等,我们有良好的产品、先进的技术、优质的服务,选择郑州新华炉料,就是选择安心。

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