碳化硅作为半导体材料的特点
本站 2022-03-25
众所周知，碳化硅是目前半导体界公认的一种具有较高开发潜力的新式半导体材料。郑州新华炉料科技有限公司所生产的碳化硅微粉属于典型宽禁带半导体，与其他材料相比具有很多优秀的物理特性。
大家通常认识一般就是碳化硅的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带), 达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3 倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为 49w/cm.k。
碳化硅与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件和金属与半导体接触的肖特基二极管。
大家通常认识一般就是碳化硅的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带), 达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3 倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为 49w/cm.k。
碳化硅与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件和金属与半导体接触的肖特基二极管。
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